时代电气:拟4.上证380指数成分股62亿升级“碳化硅”产线 车规级半导体需求强劲、国产替代空间广阔

半导体队再迎重磅利好。4月12日,国内最资深的车规级功率半导体供货商——株洲中车年代电气股份有限公司发布关于自愿宣布控股子公司出资碳化硅芯片出产线技能才能进步建造项意图公告。

公告显现,公司控股子公司株洲中车年代半导体有限公司拟出资4.62亿元进行碳化硅芯片出产线技能才能进步建造项目,项目建造工期24个月。项目建成达产后,将现有平面栅SiCMOSFET芯片技能才能进步到满意沟槽栅SiCMOSFET芯片研发才能,将现有4英寸SiC芯片线进步到6英寸,将现有4英寸SiC芯片线年10000片/年的才能进步到6英寸SiC芯片线25000片/年。

据商场研讨和战略咨询公司Yole新近发布的Power SiC 2024陈述指出,到2027年SiC器材商场估计将超越70亿美元,比2024年的10亿美元添加60亿美元。这项价值数十亿美元的事务将招引更多厂商参加其间,未来将迎来新一轮的产能扩张和供应链整合。

年代电气表明,本项意图建造是根据公司开展战略和商场需求的重要行动,契合方针开展方向,经过该项意图施行,有利于进一步扩大和增强企业竞争力,为公司碳化硅工业的开展带来新的开展机会。一起,项目完成后,公司工艺渠道才能、产品研发才能及出产制作才能进一步进步。从长远来看,对公司的事务布和运营成绩均有积极作用。

全面进步第三代半导体要害芯片自主化

揭露材料显现,年代电气首要从事轨道交通配备产品的研发、规划、制作、出售并供给相关服务,具有“器材+系统+整机”的工业结构。一起,公司在功率半导体器材、工业变流产品、新能源轿车电驱系统、传感器材、海工配备等范畴开展事务。

为呼应要求及公司全体开展战略,公司半导体工业致力于打造先进的功率半导体器材自主中心技能,依托强壮的使用及工业渠道,强化“芯片-模块组件-设备-系统”完好工业链,构成器材技能推进设备前进、设备技能拉动器材技能的良性循环。

在功率半导体器材范畴,公司建有6英寸双极器材、8英寸IGBT和6英寸碳化硅的工业化基地,具有芯片、模块、组件及使用的全套自主技能。其间,公司出产的全系列高可靠性IGBT产品打破了轨道交通中心器材和特高压输电工程要害器材由国外企业独占的势,现在正在处理我国新能源轿车中心器材自主化问题。

时代电气:拟4.上证380指数成分股62亿升级“碳化硅”产线 车规级半导体需求强劲、国产替代空间广阔

公告宣布,本项目施行后将构成面向新能源轿车、轨道交通方向的SiC芯片量产出产线,并进一步研发高性能的新产品,能够进一步推进中车年代半导体工艺技能前进,进步工业化水平,完成第三代半导体要害芯片自主化,进步世界竞争力,保证第三代半导体工业的可持续开展具有重要意义。

下流需求高景气商场空间宽广

赛迪参谋高档剖析师杨俊刚剖析以为,SiC商场的添加首要来源于商场需求的添加,因为其带隙较宽、击穿场强、热导率强,现在首要使用于电源、新能源轿车、电机驱动、光伏和储能等范畴。跟着双碳经济、新基建等战略的施行,SiC的使用量将进一步进步,一些产品将从硅基变成SiC。

2024年我国SiC、GaN电力电子器材使用商场中,消费电源是第一大使用,占比28%,工业及商业电源次之,占比 26%,新能源轿车排第三,占比11%。

未来跟着SiC、GaN产品的本钱下降,性价比优势开端凸显,将会有更多的使用场景。特别是新能源轿车快速开展,SiC 迎来开展良机。SiC 使用于新能源车,能够下降 损耗、减小模块体积分量、进步续航才能。

相关数据猜测,到2025 年全球新能源轿车有望到达1100万辆,我国占50%。新能源轿车需求新增很多的功率半导体,48V 轻混需求添加90美元以上,电动或许混动需求添加330美元以上,假如选用 SiC 器材,则单车价值量添加更多。因而,跟着本钱下降和技能的逐步老练,SiC 在新能源车中具有较大的使用空间。

原有产线的杰出根底将奠定项目成功达产

事实上,年代电气早在“十三五”期间,就建成了碳化硅芯片线,从现在来看,这不只是处理了公司在碳化硅技能范畴从无到有的打破,更为此次晋级改造奠定了杰出的根基。

比方,公司由此具有了杰出的技能根底,公司在碳化硅器材范畴已请求多项发明专利及宣布多篇论文,完成了第一代技能产品的开发和技能堆集,已构成老练的SiC芯片产品“规划-制作-测验-模块”完好才能,公司SiC产品在地铁、新能源轿车、光伏等商场范畴均已完成使用演示。

公司已全面把握平面栅(DMOS+)技能、沟槽栅 技能和精密沟槽(RTMOS)技能。公司建有6英寸双极器材、8英寸IGBT和6英寸碳化硅的工业化基地,具有芯片、模块、组件及使用的全套自主技能,除双极器材和IGBT器材在输配电、轨道交通、新能源等范畴得到广泛使用外,公司的“高性能SiC SBD、MOSFET电力电子器材产品研发与使用验证”项目已经过科技成果鉴定,完成了高性能SiC SBD五个代表种类和SiC MOSFET三个代表种类,部分产品已得到使用。

能够说,公司具有的完善项目建造系统是项目成功的重要保证。公司有过多条工业化半导体出产线的建造经历,技能团队具有丰厚的项目安排经历与才能,具有健全的项目施行组织,齐备的项目管理制度,完善的资金操控系统,可彻底担任本项意图建造。

全体来看,随同6英寸SiC晶片制作技能的老练,其相关产品质量和稳定性逐步进步,带动国外下流器材制作厂商对SiC晶片的收购需求逐步由4英寸向6英寸转化, 6英寸碳化硅的干流趋势显着。

此次年代电气进步碳化硅芯片出产线技能才能较好的适应了职业开展大势,既能够较好的满意下流新能源、光伏以及储能的爆发式需求,极大的增厚公司成绩,又能够进步第三代半导体要害芯片自主化,加快推进国产代替。

发布于 2024-07-22 18:07:39
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